-
1 cell
1) элемент2) ячейка3) гальванический элемент (первичный элемент, аккумулятор или топливный элемент)5) вчт ячейка (данных), пакет фиксированной длины ( в режиме асинхронной передачи данных)6) тлф сота7) клетка•- absorbing cell
- acid cell
- acid fuel cell
- acoustooptic deflection cell
- active cell
- air cell
- alkaline cell
- alcaline dry cell
- alcaline-manganese cell
- alkaline storage cell
- anchor cell
- application-specific integrated circuit cell
- aqueous-electrolyte fuel cell
- array cell
- ASIC cell
- asymmetrical cell
- azimuth cell
- back-wall photovoltaic cell
- bag-type cell
- barrier-layer photoelectric cell
- barrier photovoltaic cell
- base-centered cell
- base-centered Bravais cell
- basic cell
- Becquerel cell
- Becquerel photovoltaic cell
- Bernard cell
- bias cell
- bichromate cell
- bimorph cell
- binary cell
- biochemical fuel cell
- bipolar cell
- bit cell
- bistable cell
- blank cell
- blocking-layer cell
- body-centered cell
- body-centered Bravais cell
- boundary scan cell
- Bragg cell
- Bravais cell
- Bravais unit cell
- Brillouin cell
- B/S cell
- bubble cell
- bubble-lattice cell
- Bunsen cell
- cadmium normal cell
- cadmium selenide photoconductive cell
- cadmium-silver oxide cell
- cadmium telluride solar cell
- cad-telluride solar cell
- calomel half-cell
- canal fuel cell
- carbon cell
- carbon-zinc cell
- cartridge cell
- cationic membrane cell
- cesium plasma cell
- character cell
- chargeable cell
- charge-storage cell
- charge-transfer cell
- chromic acid cell
- Clark cell
- closed-circuit cell
- color cell
- color Bravais cell
- color unit cell
- concentration cell
- concentric fuel cell
- conductivity cell
- copper-oxide photovoltaic cell
- copper-zinc cell
- counter cell
- counter electromotive cell
- counting cell
- Crowe cell
- current cell
- cryogenic memory cell
- crystal cell
- crystallographic cell
- Daniell cell
- DDC cell
- decomposition cell
- delay cell
- dichromate cell
- diffraction cell
- direct fuel cell
- direct-oxidation fuel cell
- displacement cell
- divalent silver oxide cell
- Doppler-resolution cell
- double-fluid cell
- dry cell
- dry-charged cell
- dry-tape cell
- dual-dielectric charge-storage cell
- dye cell
- E-cell
- edge-centered cell
- edge-centered Bravais cell
- Edison cell
- EL cell
- electric cell
- electrode concentration cell
- electroluminescence cell
- electrolytic cell
- electrooptic liquid-crystal cell
- element cell
- emergency cells
- emission cell
- end cells
- end-centered cell
- end-centered Bravais cell
- face-centered cell
- face-centered Bravais cell
- Faraday cell
- ferrimagnetic cell
- ferrite cell
- ferroelectric cell
- ferromagnetic cell
- force cell
- front-wall photovoltaic cell
- fuel cell
- fuel-gas cell
- function cell
- functional logic cell
- fused-electrolyte cell
- galvanic cell
- ganglion cell
- gas cell
- gas-filled cell
- glass half-cell
- Golay cell
- Golay pneumatic cell
- gravity cell
- Grenet cell
- grid-bias cell - hexagonal cell
- high-temperature fuel cell
- hot cell
- hydroelectric cell
- hydrogen-air cell
- hydrogen-oxygen cell
- hypercube cell
- hysteretic memory cell
- indirect-oxidation cell
- ion-exchange cell
- ion-exchange membrane cell
- iterative master cells
- jumbo cell
- Kerr cell
- L-cell
- Lalande cell
- lattice cell
- lead cell
- lead-acid cell
- lead-calcium cell
- lead-dioxide primary cell
- lead sulfide cell
- leaf cell
- Leclanche cell
- light-sensitive cell
- Li-ion cell
- Li-pol cell
- liquid-crystal cell
- liquid-crystal display cell
- liquid diffraction cell
- liquid-gas cell
- liquid-liquid cell
- liquid-metal fuel cell
- lithium cell
- lithium-ion cell
- lithium-iron sulfide secondary cell
- lithium-pol cell
- lithium-polymer cell
- lithium-silver chromate cell
- lithium-water cell
- load cell
- logic cell
- low-temperature fuel cell
- macro cell
- magnesium cell
- magnesium-cuprous chloride cell
- magnesium-silver chloride cell
- magnesium-water cell
- magnetic cell
- magnetic tunnel junction memory cell
- magnetic unit cell
- manganese-magnesium cell
- master cell
- memory cell
- mercury cell
- metal-air storage cell
- metal fuel cell
- metal-based fuel cell
- metallic rectifier cell
- metal-oxide-semiconductor cell
- metal-semiconductor barrier cell
- microphoto cell
- molten-carbonate fuel cell
- molten-electrolyte fuel cell
- MOS cell
- multijunction solar cell
- Na/S cell
- nerve cell
- nickel-cadmium cell
- nickel-iron cell
- nickel metal-hydride cell
- NiMH cell
- n-on-p solar cell
- nonprimitive Bravais cell
- nonprimitive unit cell
- nonregenerative fuel cell
- nuclear cell
- organic-semiconductor solar cell
- oxygen concentration cell
- oxygen-hydrogen cell
- Penning cell
- photochemical cell
- photoconducting cell
- photoconductive cell
- photoelectric cell
- photoelectrolytic cell
- photoemissive cell
- photogalvanic cell
- photovoltaic cell
- photronic cell
- piezoelectric cell
- pilot cell
- planar solar cell
- Plante cell
- plasma cell
- Pockels cell
- polycrystalline-film photoconducting cell
- p-on-n solar cell
- postsynaptic cell
- pressure cell
- presynaptic cell
- primary cell
- primary fuel cell
- primitive cell
- primitive unit cell
- processing cell
- promethium cell
- protected cell
- Purkinje cell
- quinhydrone electrode half-cell
- radar cell
- Raman cell
- range-resolution cell
- rapid single flux quantum cell
- rectifier photoelectric cell
- rectifying cell
- regenerative fuel cell
- reserve cell
- resolution cell
- resolving cell
- resonance cell
- rhombohedral cell
- robotic work cell
- RSFQ cell
- Ruben cell
- rubidium gas cell
- sal-ammonia cell
- SAM cell
- saturated standard cell
- Schottky-barrier solar cell
- sealed cell
- secondary cell
- selenium cell
- silicon rectifying cell
- silicon solar cell
- silver-hydrogen cell
- silver-oxide cell
- silver-zinc primary cell
- single-bit storage cell
- slot cell
- solar cell
- solid-electrolyte fuel cell
- standard cell
- standard Daniell cell
- Stark cell
- storage cell
- synchronous active-memory machine cell
- thallofide cell
- thermal cell
- thermoelectric solar cell
- thin-film solar cell
- TR cell
- transition cell
- transmit-receive cell
- tube fuel cell
- ultrasonic modulation cell
- ultrasonic refraction cell
- ultrasonic storage cell
- unit cell
- unsaturated standard cell
- vertical junction solar cell
- vertical memory cell
- voltaic cell
- Weston cell
- Weston standard cell
- wet cell
- Wigner-Seitz cell
- zinc-air fuel cell
- zinc-chlorine cell
- zinc-copper oxide cell
- zinc-iron cell
- zinc-mercury oxide cell
- zinc-silver chloride primary cell
- zinc-silver oxide cell -
2 cell
1) элемент2) ячейка3) гальванический элемент (первичный элемент, аккумулятор или топливный элемент)5) вчт. ячейка (данных), пакет фиксированной длины ( в режиме асинхронной передачи данных)6) тлф. сот7) клетка•- absorbing cell
- acid cell
- acid fuel cell
- acoustooptic deflection cell
- active cell
- air cell
- alcaline dry cell
- alcaline-manganese cell
- alkaline cell
- alkaline storage cell
- anchor cell
- application-specific integrated circuit cell
- aqueous-electrolyte fuel cell
- array cell
- ASIC cell
- asymmetrical cell
- azimuth cell
- B/S cell
- back-wall photovoltaic cell
- bag-type cell
- barrier photovoltaic cell
- barrier-layer photoelectric cell
- base-centered Bravais cell
- base-centered cell
- basic cell
- Becquerel cell
- Becquerel photovoltaic cell
- Bernard cell
- bias cell
- bichromate cell
- bimorph cell
- binary cell
- biochemical fuel cell
- bipolar cell
- bistable cell
- bit cell
- blank cell
- blocking-layer cell
- body-centered Bravais cell
- body-centered cell
- boundary scan cell
- Bragg cell
- Bravais cell
- Bravais unit cell
- Brillouin cell
- bubble cell
- bubble-lattice cell
- Bunsen cell
- cadmium normal cell
- cadmium selenide photoconductive cell
- cadmium telluride solar cell
- cadmium-silver oxide cell
- cad-telluride solar cell - carbon cell
- carbon-zinc cell
- cartridge cell
- cationic membrane cell
- cesium plasma cell
- character cell
- chargeable cell
- charge-storage cell
- charge-transfer cell
- chromic acid cell
- Clark cell
- closed-circuit cell
- color Bravais cell
- color cell
- color unit cell
- concentration cell
- concentric fuel cell
- conductivity cell
- copper-oxide photovoltaic cell
- copper-zinc cell
- counter cell
- counterelectromotive cell
- counting cell
- Crowe cell
- cryogenic memory cell
- crystal cell
- crystallographic cell
- current cell
- Daniell cell
- DDC cell
- decomposition cell
- delay cell
- dichromate cell
- diffraction cell
- direct fuel cell
- direct-oxidation fuel cell
- displacement cell
- divalent silver oxide cell
- Doppler-resolution cell
- double-fluid cell
- dry cell
- dry-charged cell
- dry-tape cell
- dual-dielectric charge-storage cell
- dye cell
- E cell
- edge-centered Bravais cell
- edge-centered cell
- Edison cell
- EL cell
- electric cell
- electrode concentration cell
- electroluminescence cell
- electrolytic cell
- electrooptic liquid-crystal cell
- element cell
- emergency cells
- emission cell
- end cells
- end-centered Bravais cell
- end-centered cell
- face-centered Bravais cell
- face-centered cell
- Faraday cell
- ferrimagnetic cell
- ferrite cell
- ferroelectric cell
- ferromagnetic cell
- force cell
- front-wall photovoltaic cell
- fuel cell
- fuel-gas cell
- function cell
- functional logic cell
- fused-electrolyte cell
- galvanic cell
- ganglion cell
- gas cell
- gas-filled cell - Golay pneumatic cell
- gravity cell
- Grenet cell
- grid-bias cell - hexagonal cell
- high-temperature fuel cell
- hot cell
- hydroelectric cell
- hydrogen-air cell
- hydrogen-oxygen cell
- hypercube cell
- hysteretic memory cell
- indirect-oxidation cell
- ion-exchange cell
- ion-exchange membrane cell
- iterative master cells
- jumbo cell
- Kerr cell
- Lalande cell
- lattice cell
- L-cell
- lead cell
- lead sulfide cell
- lead-acid cell
- lead-calcium cell
- lead-dioxide primary cell
- leaf cell
- Leclanche cell
- light-sensitive cell
- Li-ion cell
- Li-pol cell
- liquid diffraction cell
- liquid-crystal cell
- liquid-crystal display cell
- liquid-gas cell
- liquid-liquid cell
- liquid-metal fuel cell
- lithium cell
- lithium-ion cell
- lithium-iron sulfide secondary cell
- lithium-pol cell
- lithium-polymer cell
- lithium-silver chromate cell
- lithium-water cell
- load cell
- logic cell
- low-temperature fuel cell
- macro cell
- magnesium cell
- magnesium-cuprous chloride cell
- magnesium-silver chloride cell
- magnesium-water cell
- magnetic cell
- magnetic tunnel junction memory cell
- magnetic unit cell
- manganese-magnesium cell
- master cell
- memory cell
- mercury cell
- metal fuel cell
- metal-air storage cell
- metal-based fuel cell
- metallic rectifier cell
- metal-oxide-semiconductor cell
- metal-semiconductor barrier cell
- microphoto cell
- molten-carbonate fuel cell
- molten-electrolyte fuel cell
- MOS cell
- multijunction solar cell
- Na/S cell
- nerve cell
- nickel metal-hydride cell
- nickel-cadmium cell
- nickel-iron cell
- NiMH cell
- n-on-p solar cell
- nonprimitive Bravais cell
- nonprimitive unit cell
- nonregenerative fuel cell
- nuclear cell
- organic-semiconductor solar cell
- oxygen concentration cell
- oxygen-hydrogen cell
- Penning cell
- photochemical cell
- photoconducting cell
- photoconductive cell
- photoelectric cell
- photoelectrolytic cell
- photoemissive cell
- photogalvanic cell
- photovoltaic cell
- photronic cell
- piezoelectric cell
- pilot cell
- planar solar cell
- Plante cell
- plasma cell
- Pockels cell
- polycrystalline-film photoconducting cell
- p-on-n solar cell
- postsynaptic cell
- pressure cell
- presynaptic cell
- primary cell
- primary fuel cell
- primitive cell
- primitive unit cell
- processing cell
- promethium cell
- protected cell
- Purkinje cell - Raman cell
- range-resolution cell
- rapid single flux quantum cell
- rectifier photoelectric cell
- rectifying cell
- regenerative fuel cell
- reserve cell
- resolution cell
- resolving cell
- resonance cell
- rhombohedral cell
- robotic work cell
- RSFQ cell
- Ruben cell
- rubidium gas cell
- sal-ammonia cell
- SAM cell
- saturated standard cell
- Schottky-barrier solar cell
- sealed cell
- secondary cell
- selenium cell
- silicon rectifying cell
- silicon solar cell
- silver-hydrogen cell
- silver-oxide cell
- silver-zinc primary cell
- single-bit storage cell
- slot cell
- solar cell
- solid-electrolyte fuel cell
- standard cell
- standard Daniell cell
- Stark cell
- storage cell
- synchronous active-memory machine cell
- thallofide cell
- thermal cell
- thermoelectric solar cell
- thin-film solar cell
- TR cell
- transition cell
- transmit-receive cell
- tube fuel cell
- ultrasonic modulation cell
- ultrasonic refraction cell
- ultrasonic storage cell
- unit cell
- unsaturated standard cell
- vertical junction solar cell
- vertical memory cell
- voltaic cell
- Weston cell
- Weston standard cell
- wet cell
- Wigner-Seitz cell
- zinc-air fuel cell
- zinc-chlorine cell
- zinc-copper oxide cell
- zinc-iron cell
- zinc-mercury oxide cell
- zinc-silver chloride primary cell
- zinc-silver oxide cellThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > cell
-
3 fixed-length packet
English-Russian electronics dictionary > fixed-length packet
-
4 fixed-length packet
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > fixed-length packet
-
5 протокол Modbus RTU
протокол Modbus RTU
-
[Интент]3.5.1. Протокол MODBUS
Протокол Modbus был предложен в 1979 году компанией Modicon. Он должен был служить протоколом реализации внутренних коммуникаций «точка-точка» между ПЛК Modicon и панелью программирования, предназначенной для ввода программ в этот ПЛК. Протокол Modbus построен по принципу открытой системы.
Область применения этого протокола не ограничивается только промышленной автоматизацией, Modbus применяется во многих других областях, включая системы автоматизации зданий.
Протокол Modbus предназначен для использования в сетевых структурах нескольких разновидностей, в том числе в разработанной компанией Modicon одноранговой сети Modbus Plus.
Modbus представляет собой протокол, построенный по принципу master-slave (ведущий-ведомый). Modbus допускает наличие в структуре только одного ведущего устройства и от 1 до 247 ведомых. В качестве ведомого устройства обычно выступает ПЛК. Роль ведущего устройства обычно играет либо панель программирования, либо главный компьютер.
Идеология протокола такова, что ведущему устройству адрес не присваивается, а ведомые пронумерованы от 1 до 247.
Адрес «0» зарезервирован в качестве адреса широковещательной передачи сообщений, предназначенных всем ведомым устройствам. Такое сообщение получают все ведомые устройства, но ответ на него не предусмотрен.
Сообщения-команды, исходящие от ведущего устройства, именуются запросами, а ответные сообщения, присылаемые ведомым устройством, ответами. Упрощенная структура формата сообщения, как запроса, так и ответа, показана ниже:
Адрес устройства Код функции Данные Контрольная сумма
Ведущее устройство не имеет адреса вообще, поэтому в поле адреса всегда указывается номер ведомого устройства. Если это запрос, то он направляется ведомому устройству с указанным адресом. Если сообщение является ответом, то оно поступает от ведомого устройства с проставленным в этом поле его адресом. Сообщение-запрос всегда содержит тот или иной код функции, например, код 03 – это функция «Чтение регистров хранения».
В последнем поле каждого сообщения помещается код ошибки, формируемый устройством-отправителем, так что устройство-получатель может проверить целостность пришедшего сообщения.
Протокол Modbus рассчитан на два режима последовательной передачи данных. Один именуется ASCII (American Standard Code for Information Interchange), а второй – режимом RTU (Remote Terminal Unit). Термин RTU ведет происхождение от SCADA-систем (Supervisor Control and Data Acquisition), в которых ведущее устройство, именуемое CTU (Central Terminal Unit), обменивается информацией с несколькими удаленными устройствами (RTU), находящимися от него на определенных расстояниях.
Для каждого режима определена структура кадров сообщений и их синхронизация. В процессе передачи по каналам последовательной связи оба режима предусматривают асинхронную передачу, при которой имеется заранее определенная структура кадра и символы пересылаются последовательно – по одному в каждый момент.
В табл. 3.11 и 3.12 показана отправка символа при использовании асинхронной последовательной передачи данных для обоих режимов с битом четности или без него.
Таблица 3.11. Структура кадра для 7-битового режима ASCII
Стартовый бит Бит четности Стоповый бит
Стартовый бит Стоповый бит Стоповый бит
Таблица 3.12. Структура кадра для 8-битового режима RTU
Стартовый бит Бит четности Стоповый бит
Стартовый бит Стоповый бит Стоповый бит
Каждый символ передается как последовательность битов, причем время, затрачиваемое на передачу одного бита, обратно пропорционально скорости передачи данных. Например, при скорости 9600 бод время передачи 1 бита равно 104,1 мкс. Когда информация не передается, линии связи находится в маркерном (marking) состоянии. Противоположное ему состояние именуется заполненным (spacing). Когда линия переходит в заполненное состояние для побитовой передачи данных, каждому символу предшествует стартовый бит, а в конце идет один стоповый бит или больше, после этого линия возвращается в маркерное состояние.
В промежутке между стартовым и стоповым битами осуществляется передача 7, в режиме ASCII, или 8, в режиме RTU, битов, составляющих символ, причем первым посылается младший бит (LSB). После символа идет либо бит четности, либо еще один стоповый бит. При этом пользователь имеет возможность выбирать один из трех вариантов: контроль на четность, или на нечетность, либо отсутствие контроля. В режиме ASCII передача одного символа требует передачи 10 битов, а в режиме RTU – 11. При асинхронной связи символы могут пересылаться либо вплотную, либо с временным интервалом между ними. Последовательности символов, образующих сообщения, имеют различные структуры в зависимости от режима – ASCII или RTU.[ Источник]
Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > протокол Modbus RTU
-
6 Modbus RTU protocol
протокол Modbus RTU
-
[Интент]3.5.1. Протокол MODBUS
Протокол Modbus был предложен в 1979 году компанией Modicon. Он должен был служить протоколом реализации внутренних коммуникаций «точка-точка» между ПЛК Modicon и панелью программирования, предназначенной для ввода программ в этот ПЛК. Протокол Modbus построен по принципу открытой системы.
Область применения этого протокола не ограничивается только промышленной автоматизацией, Modbus применяется во многих других областях, включая системы автоматизации зданий.
Протокол Modbus предназначен для использования в сетевых структурах нескольких разновидностей, в том числе в разработанной компанией Modicon одноранговой сети Modbus Plus.
Modbus представляет собой протокол, построенный по принципу master-slave (ведущий-ведомый). Modbus допускает наличие в структуре только одного ведущего устройства и от 1 до 247 ведомых. В качестве ведомого устройства обычно выступает ПЛК. Роль ведущего устройства обычно играет либо панель программирования, либо главный компьютер.
Идеология протокола такова, что ведущему устройству адрес не присваивается, а ведомые пронумерованы от 1 до 247.
Адрес «0» зарезервирован в качестве адреса широковещательной передачи сообщений, предназначенных всем ведомым устройствам. Такое сообщение получают все ведомые устройства, но ответ на него не предусмотрен.
Сообщения-команды, исходящие от ведущего устройства, именуются запросами, а ответные сообщения, присылаемые ведомым устройством, ответами. Упрощенная структура формата сообщения, как запроса, так и ответа, показана ниже:
Адрес устройства Код функции Данные Контрольная сумма
Ведущее устройство не имеет адреса вообще, поэтому в поле адреса всегда указывается номер ведомого устройства. Если это запрос, то он направляется ведомому устройству с указанным адресом. Если сообщение является ответом, то оно поступает от ведомого устройства с проставленным в этом поле его адресом. Сообщение-запрос всегда содержит тот или иной код функции, например, код 03 – это функция «Чтение регистров хранения».
В последнем поле каждого сообщения помещается код ошибки, формируемый устройством-отправителем, так что устройство-получатель может проверить целостность пришедшего сообщения.
Протокол Modbus рассчитан на два режима последовательной передачи данных. Один именуется ASCII (American Standard Code for Information Interchange), а второй – режимом RTU (Remote Terminal Unit). Термин RTU ведет происхождение от SCADA-систем (Supervisor Control and Data Acquisition), в которых ведущее устройство, именуемое CTU (Central Terminal Unit), обменивается информацией с несколькими удаленными устройствами (RTU), находящимися от него на определенных расстояниях.
Для каждого режима определена структура кадров сообщений и их синхронизация. В процессе передачи по каналам последовательной связи оба режима предусматривают асинхронную передачу, при которой имеется заранее определенная структура кадра и символы пересылаются последовательно – по одному в каждый момент.
В табл. 3.11 и 3.12 показана отправка символа при использовании асинхронной последовательной передачи данных для обоих режимов с битом четности или без него.
Таблица 3.11. Структура кадра для 7-битового режима ASCII
Стартовый бит Бит четности Стоповый бит
Стартовый бит Стоповый бит Стоповый бит
Таблица 3.12. Структура кадра для 8-битового режима RTU
Стартовый бит Бит четности Стоповый бит
Стартовый бит Стоповый бит Стоповый бит
Каждый символ передается как последовательность битов, причем время, затрачиваемое на передачу одного бита, обратно пропорционально скорости передачи данных. Например, при скорости 9600 бод время передачи 1 бита равно 104,1 мкс. Когда информация не передается, линии связи находится в маркерном (marking) состоянии. Противоположное ему состояние именуется заполненным (spacing). Когда линия переходит в заполненное состояние для побитовой передачи данных, каждому символу предшествует стартовый бит, а в конце идет один стоповый бит или больше, после этого линия возвращается в маркерное состояние.
В промежутке между стартовым и стоповым битами осуществляется передача 7, в режиме ASCII, или 8, в режиме RTU, битов, составляющих символ, причем первым посылается младший бит (LSB). После символа идет либо бит четности, либо еще один стоповый бит. При этом пользователь имеет возможность выбирать один из трех вариантов: контроль на четность, или на нечетность, либо отсутствие контроля. В режиме ASCII передача одного символа требует передачи 10 битов, а в режиме RTU – 11. При асинхронной связи символы могут пересылаться либо вплотную, либо с временным интервалом между ними. Последовательности символов, образующих сообщения, имеют различные структуры в зависимости от режима – ASCII или RTU.[ Источник]
Тематики
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > Modbus RTU protocol
-
7 RS-232C
интерфейс RS-232C
Стандарт на асинхронную передачу данных между компьютером и периферией. Известен также как интерфейс CCITT V.24.
[ http://www.morepc.ru/dict/]Тематики
EN
рекомендуемый стандарт RS-232C
Разработан ассоциацией EIA, широко применяется в ЭВМ для асинхронной и синхронной последовательной передачи данных при двухточечном и многоточечном соединении периферийных устройств в дуплексном режиме со стандартными скоростями до 19200 бит/с. В качестве соединителей используются унифицированные соединители типа DB-25 и типа DB-9 для ПЭВМ серии IBM PC.
[Е.С.Алексеев, А.А.Мячев. Англо-русский толковый словарь по системотехнике ЭВМ. Москва 1993]Тематики
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > RS-232C
-
8 рекомендуемый стандарт RS-232C
рекомендуемый стандарт RS-232C
Разработан ассоциацией EIA, широко применяется в ЭВМ для асинхронной и синхронной последовательной передачи данных при двухточечном и многоточечном соединении периферийных устройств в дуплексном режиме со стандартными скоростями до 19200 бит/с. В качестве соединителей используются унифицированные соединители типа DB-25 и типа DB-9 для ПЭВМ серии IBM PC.
[Е.С.Алексеев, А.А.Мячев. Англо-русский толковый словарь по системотехнике ЭВМ. Москва 1993]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > рекомендуемый стандарт RS-232C
См. также в других словарях:
ГОСТ Р 50434-92: Устройства числового программного управления для металлообрабатывающего оборудования. Производственный канал асинхронной передачи данных и физический уровень. Полудуплексная передача данных — Терминология ГОСТ Р 50434 92: Устройства числового программного управления для металлообрабатывающего оборудования. Производственный канал асинхронной передачи данных и физический уровень. Полудуплексная передача данных оригинал документа: 2.2.… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Фаза установления звена данных — 5.3.1.1. Фаза установления звена данных До фазы установления звена данных обе станции должны находиться в нейтральном состоянии. Инициировать связь разрешается обеим станциям. В качестве примера инициализации см. п. 5.3.4. Если станция захочет… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Фаза передачи информации — 5.3.1.2. Фаза передачи информации Передающая станция должна войти в фазу передачи информации посылкой последовательности AP1 HT. Принимающая станция должна войти в фазу передачи информации получением AP1 HT. Блок текста может содержать… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
фаза — 15 фаза Проводник, пучок проводников, ввод, обмотка или иной элемент многофазной системы переменного тока, являющийся токоведущим при нормальном режиме работы 601 03 09 de Aussenleiter en phase fr phase Источник: ГОСТ 24291 90: Электрическая… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
защита — 3.25 защита (security): Сохранение информации и данных так, чтобы недопущенные к ним лица или системы не могли их читать или изменять, а допущенные лица или системы не ограничивались в доступе к ним. Источник: ГОСТ Р ИСО/МЭК 12207 99:… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Положительное подтверждение с прерыванием — 2.11. Положительное подтверждение с прерыванием (AP1 <) Positive acknowledgement with interrupt (DLE <)1): Управляющая последовательность исходящая от принимающей станции в качестве положительного подтверждения с прерыванием. Используется… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Управление — 2 Управление Совокупность целенаправленных действий, включающая оценку ситуации и состояние объекта управления Выбор управляющих воздействий и их реализация (ГОСТ 34.003 90). Применительно к персоналу (как объекту управления) под управлением… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
защита от ошибок — 01.02.31 защита от ошибок [ error control]: Любой технический прием, применяемый для уменьшения влияние ошибок при записи, обработке или передаче информации. [МЭК 60050 702, 702 07 40] Источник … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Кодонезависимая передача — 5.2. Кодонезависимая передача Кодонезависимость передачи обеспечивается реализацией положений ГОСТ 22731. Таблица 3 5.3. Протокол звена данных Источник … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Параметры — 8. Параметры 8.1. Грузоподъемность, Q Масса груза и/или людей, на подъем которой рассчитано грузонесущее устройство и подъемник в целом Источник: ПБ 10 518 02: Правила устройства и безопасной эксплуатации строительных подъемников … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
протокол Modbus RTU — [Интент] 3.5.1. Протокол MODBUS Протокол Modbus был предложен в 1979 году компанией Modicon. Он должен был служить протоколом реализации внутренних коммуникаций «точка точка» между ПЛК Modicon и панелью программирования,… … Справочник технического переводчика
